光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。

進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。

進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個(gè)？（）

光刻工藝對準(zhǔn)誤差包括（）。

新的平坦化方法有哪幾個(gè)？（）

刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）