問(wèn)答題光刻膠厚度隨什么變化?
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.問(wèn)答題負(fù)膠的兩大缺點(diǎn)是什么。
2.問(wèn)答題列出并描述I線光刻膠的4種成分。
3.問(wèn)答題什么是負(fù)膠分辨率的限制,哪種膠應(yīng)用在亞微米光刻膠中?
4.問(wèn)答題列出并描述兩種主要的光刻膠。
5.問(wèn)答題給出硅片制造中光刻膠的兩種目的。
最新試題
濕氧氧化采用的氧化水溫是()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
光刻工藝的特點(diǎn)包括()。
題型:多項(xiàng)選擇題
目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種?()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)?()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無(wú)各種廢品。
題型:判斷題
硅暴露在空氣中,在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層,厚度約為()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
常壓的硅外延方法有()。
題型:多項(xiàng)選擇題
厚膜電阻的成分,一是導(dǎo)體顆粒,二是()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
摻雜后退火時(shí)間一般在()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
CE定律發(fā)展面臨的問(wèn)題包括()。
題型:多項(xiàng)選擇題