光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。

化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個(gè)？（）

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層，開(kāi)始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱(chēng)為（）。

互連工藝中AL的制備可選用（）。

刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來(lái)實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

刻蝕過(guò)程中聚合物形成的來(lái)源有（）。