影響封裝芯片特性的溫度有（）。

進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層，開(kāi)始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

常壓的硅外延方法有（）。

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來(lái)實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

CE定律發(fā)展面臨的問(wèn)題包括（）。