摻雜后，退火的目的是（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）

常壓的硅外延方法有（）。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。

光刻工藝對(duì)準(zhǔn)誤差包括（）。

消除鳥嘴效應(yīng)的方法有（）。

當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。