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填空題為了避免短溝道效應(yīng)，可采用按比例縮小法則，當(dāng)MOSFET的溝道長(zhǎng)度縮短一半時(shí)，其溝道寬度應(yīng)（），柵氧化層厚度應(yīng)（），源、漏區(qū)結(jié)深應(yīng)（），襯底摻雜濃度應(yīng)（）。

1.填空題在長(zhǎng)溝道MOSFET中，漏極電流的飽和是由于（），而在短溝道MOSFET中，漏極電流的飽和則是由于（）。

2.填空題閾電壓V的短溝道效應(yīng)是指，當(dāng)溝道長(zhǎng)度縮短時(shí)，V變（）。

3.填空題為提高跨導(dǎo)g的截止角頻率ω，應(yīng)當(dāng)（）μ，（）L，（）V。

4.填空題MOSFET的跨導(dǎo)的定義是（），反映了（）對(duì)（）的控制能力。

5.填空題由于源、漏區(qū)的摻雜濃度（）于溝道區(qū)的摻雜濃度，所以MOSFET源、漏PN結(jié)的耗盡區(qū)主要向（）區(qū)擴(kuò)展，使MOSFET的源、漏穿通問(wèn)題比雙極型晶體管的基區(qū)穿通問(wèn)題（）。