單項(xiàng)選擇題浸入式光刻技術(shù)可以使193nm光刻工藝的最小線寬減小到45nm以下。它通過(guò)采用折射率高的液體代替透鏡組件間的空氣，達(dá)到（）的目的。
A.增大光源波長(zhǎng)；
B.減小光源波長(zhǎng)；
C.減小光學(xué)系統(tǒng)數(shù)值孔徑；
D.增大光學(xué)系統(tǒng)數(shù)值孔徑。
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1.單項(xiàng)選擇題如果淀積的膜在臺(tái)階上過(guò)度地變薄，就容易導(dǎo)致高的膜應(yīng)力、電短路或者在器件中產(chǎn)生不希望的（）。
A. 誘生電荷
B. 鳥(niǎo)嘴效應(yīng)
C. 陷阱電荷
D. 可移動(dòng)電荷
2.多項(xiàng)選擇題采用二氧化硅薄膜作為柵極氧化層，是利用其具有的（）
A.高電阻率；
B.高化學(xué)穩(wěn)定性；
C.低介電常數(shù)；
D.高介電強(qiáng)度。
3.單項(xiàng)選擇題微電子器件對(duì)加工環(huán)境的空氣潔凈度有著嚴(yán)格的要求。我國(guó)潔凈室及潔凈區(qū)空氣中懸浮粒子潔凈度標(biāo)準(zhǔn)GB50073-2001中，100級(jí)的含義是：每立方米空氣中大于等于0.1m的懸浮粒子的最大允許個(gè)數(shù)為（）
A.35；
B.100；
C.102；
D.237。
最新試題
CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。
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消除鳥(niǎo)嘴效應(yīng)的方法有（）。
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金屬化中可選用的金屬材料有（）。
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新的平坦化方法有哪幾個(gè)？（）
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摻雜后退火時(shí)間一般在（）。
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化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個(gè)？（）
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三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無(wú)各種廢品。
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互連工藝中AL的制備可選用（）。
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常壓的硅外延方法有（）。
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碳納米管場(chǎng)效應(yīng)晶體管是未來(lái)晶體管發(fā)展趨勢(shì)之一。
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