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多項(xiàng)選擇題
采用二氧化硅薄膜作為柵極氧化層,是利用其具有的()
A.高電阻率;
B.高化學(xué)穩(wěn)定性;
C.低介電常數(shù);
D.高介電強(qiáng)度。
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單項(xiàng)選擇題
微電子器件對(duì)加工環(huán)境的空氣潔凈度有著嚴(yán)格的要求。我國(guó)潔凈室及潔凈區(qū)空氣中懸浮粒子潔凈度標(biāo)準(zhǔn)GB50073-2001中,100級(jí)的含義是:每立方米空氣中大于等于0.1m的懸浮粒子的最大允許個(gè)數(shù)為()
A.35;
B.100;
C.102;
D.237。
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判斷題
側(cè)墻用來(lái)環(huán)繞多晶硅柵,防止更大劑量的源漏注入過(guò)于接近溝道以致可能發(fā)生源漏穿通。
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