封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

摻雜后退火時間一般在（）。

注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關(guān)？（）

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）

消除鳥嘴效應(yīng)的方法有（）。

進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

常壓的硅外延方法有（）。

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。