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熱擴(kuò)散中的橫向擴(kuò)散通常是縱向結(jié)深的75%~85%。先進(jìn)的MOS電路不希望發(fā)生橫向擴(kuò)散,因?yàn)樗鼤?huì)導(dǎo)致溝道長(zhǎng)度的減小,影響器件的集成度和性能。
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判斷題
在各向同性刻蝕時(shí),薄膜的厚度應(yīng)該大致大于或等于所要求分辨率的三分之一。如果圖形所要求的分辨率遠(yuǎn)小于薄膜厚度,則必須采用各向異性刻蝕。
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判斷題
外延生長(zhǎng)過(guò)程中雜質(zhì)的對(duì)流擴(kuò)散效應(yīng),特別是高濃度一側(cè)向異側(cè)端的擴(kuò)散,不僅使界面附近濃度分布偏離了理想情況下的突變分布而形成緩變,且只有在離界面稍遠(yuǎn)處才保持理想狀態(tài)下的均勻分布,使外延層有效厚度變窄。
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