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A.檢測砌體工作應(yīng)力、彈性模量可采用原位軸壓法
B.檢測砌體抗剪強度可采用原位單剪法、原位雙剪法
C.檢測砌體抗壓強度可用用原位軸壓法、扁頂法、切制抗壓試件法
D.檢測砌筑塊體抗壓強度可采用燒結(jié)磚回彈法、取樣法
A.普通磚砌體
B.多孔磚砌體
C.粉煤灰磚砌體
D.空心磚砌體
E.混凝土空心砌塊砌體
A.收集被檢測工程的圖紙、施工驗收資料、磚與砂漿的品種及有關(guān)原材料的測試資料
B.工程建設(shè)時間
C.進一步明確檢測原因和委托方的具體要求
D.以往工程質(zhì)量檢測情況
E.檢測環(huán)境
A.標準
B.型號
C.產(chǎn)品說明書
D.使用時間
A.計算
B.分析
C.強度推定
D.采集
E.計數(shù)
最新試題
對于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù),它與()。
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
改良西門子法的顯著特點不包括()
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重摻硅廢料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
下列哪個不是單晶常用的晶向()
載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流,漂移運動產(chǎn)生()電流。
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
硅片拋光在原理上不可分為()