A.標準
B.型號
C.產(chǎn)品說明書
D.使用時間
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A.計算
B.分析
C.強度推定
D.采集
E.計數(shù)
A.現(xiàn)場檢測
B.委托檢測
C.見證檢測
D.抽樣檢測
A、上水平槽的尺寸為長度250mm厚度240mm高度70mm、下水平槽的尺寸為長度250mm厚度240mm高度大于或等于110mm
B、上、下水平槽應對齊,普通磚砌體,槽間砌體高度應為7皮磚
C、開槽時,在避免擾動四周的砌體;槽間砌體的承壓面應個平整
D、多孔磚砌體,槽間砌體高度應為4皮磚
A、C25混凝土標準試塊抗壓
B、C15混凝土標準試塊抗壓
C、25HRB400鋼筋試拉
D、M15水泥砂漿試塊試壓
A、3.0m
B、2.8m
C、3.6m
D、4.2m
最新試題
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導體具有()半導體的導電特性。
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()
光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強弱。光子效應所制成的紅外探測器。
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
改良西門子法的顯著特點不包括()
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重摻硅廢料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
下列哪個不是單晶常用的晶向()