A.檢測砌體工作應(yīng)力、彈性模量可采用原位軸壓法
B.檢測砌體抗剪強度可采用原位單剪法、原位雙剪法
C.檢測砌體抗壓強度可用用原位軸壓法、扁頂法、切制抗壓試件法
D.檢測砌筑塊體抗壓強度可采用燒結(jié)磚回彈法、取樣法
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A.普通磚砌體
B.多孔磚砌體
C.粉煤灰磚砌體
D.空心磚砌體
E.混凝土空心砌塊砌體
A.收集被檢測工程的圖紙、施工驗收資料、磚與砂漿的品種及有關(guān)原材料的測試資料
B.工程建設(shè)時間
C.進一步明確檢測原因和委托方的具體要求
D.以往工程質(zhì)量檢測情況
E.檢測環(huán)境
A.標(biāo)準(zhǔn)
B.型號
C.產(chǎn)品說明書
D.使用時間
A.計算
B.分析
C.強度推定
D.采集
E.計數(shù)
A.現(xiàn)場檢測
B.委托檢測
C.見證檢測
D.抽樣檢測
最新試題
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）
可用作硅片的研磨材料是（）
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
下列是晶體的是（）。
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。