A.收集被檢測工程的圖紙、施工驗(yàn)收資料、磚與砂漿的品種及有關(guān)原材料的測試資料
B.工程建設(shè)時(shí)間
C.進(jìn)一步明確檢測原因和委托方的具體要求
D.以往工程質(zhì)量檢測情況
E.檢測環(huán)境
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你可能感興趣的試題
A.標(biāo)準(zhǔn)
B.型號
C.產(chǎn)品說明書
D.使用時(shí)間
A.計(jì)算
B.分析
C.強(qiáng)度推定
D.采集
E.計(jì)數(shù)
A.現(xiàn)場檢測
B.委托檢測
C.見證檢測
D.抽樣檢測
A、上水平槽的尺寸為長度250mm厚度240mm高度70mm、下水平槽的尺寸為長度250mm厚度240mm高度大于或等于110mm
B、上、下水平槽應(yīng)對齊,普通磚砌體,槽間砌體高度應(yīng)為7皮磚
C、開槽時(shí),在避免擾動四周的砌體;槽間砌體的承壓面應(yīng)個(gè)平整
D、多孔磚砌體,槽間砌體高度應(yīng)為4皮磚
A、C25混凝土標(biāo)準(zhǔn)試塊抗壓
B、C15混凝土標(biāo)準(zhǔn)試塊抗壓
C、25HRB400鋼筋試?yán)?br />
D、M15水泥砂漿試塊試壓
最新試題
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括()
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
下列選項(xiàng)中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段?()
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動產(chǎn)生()電流。
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。
可用作硅片的研磨材料是()