單項選擇題原位雙剪法所用原位剪切儀主要技術指標中示值相對誤差為（）。
A.±1%
B.±2%
C.±3%
D.±4%
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1.單項選擇題原位雙剪法同一墻體的各個測點之間，水平方向凈距不應小于（）。
A.0.5m
B.1.0m
C.1.5m
D.2.0m
2.單項選擇題原位雙剪法以下哪一部位可以布設測點（）。
A.門、窗洞口側邊100mm范圍內(nèi)
B.門、窗洞口側邊110mm范圍內(nèi)
C.門、窗洞口側邊120mm范圍內(nèi)
D.門、窗洞口側邊130mm
3.單項選擇題原位雙剪法在測區(qū)內(nèi)選擇測點是，試件兩個受剪面的水平灰縫厚度應為（）。
A.4-8mm
B.6-10mm
C.8-12mm
D.10-14mm
4.單項選擇題原位單剪法數(shù)據(jù)分析時，應根據(jù)測試儀表的校驗結果，進行荷載換算，并應精確到（）。
A.1N
B.5N
C.10N
D.15N
5.單項選擇題原位單剪法測量被測灰縫的受剪面尺寸，應精確到（）。
A.0.2mm
B.0.25mm
C.0.5mm
D.1mm
最新試題
最有效的復合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
題型：單項選擇題
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導體具有（）半導體的導電特性。
題型：單項選擇題
PN結的基本特性是（）
題型：單項選擇題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）
題型：單項選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
題型：單項選擇題
與半導體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量（）
題型：單項選擇題
在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）
題型：單項選擇題
光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強弱。光子效應所制成的紅外探測器。
題型：單項選擇題
改良西門子法的顯著特點不包括（）
題型：單項選擇題
下列哪個不是單晶常用的晶向（）
題型：單項選擇題