單項(xiàng)選擇題原位雙剪法同一墻體的各個(gè)測(cè)點(diǎn)之間，水平方向凈距不應(yīng)小于（）。
A.0.5m
B.1.0m
C.1.5m
D.2.0m
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1.單項(xiàng)選擇題原位雙剪法以下哪一部位可以布設(shè)測(cè)點(diǎn)（）。
A.門、窗洞口側(cè)邊100mm范圍內(nèi)
B.門、窗洞口側(cè)邊110mm范圍內(nèi)
C.門、窗洞口側(cè)邊120mm范圍內(nèi)
D.門、窗洞口側(cè)邊130mm
2.單項(xiàng)選擇題原位雙剪法在測(cè)區(qū)內(nèi)選擇測(cè)點(diǎn)是，試件兩個(gè)受剪面的水平灰縫厚度應(yīng)為（）。
A.4-8mm
B.6-10mm
C.8-12mm
D.10-14mm
3.單項(xiàng)選擇題原位單剪法數(shù)據(jù)分析時(shí)，應(yīng)根據(jù)測(cè)試儀表的校驗(yàn)結(jié)果，進(jìn)行荷載換算，并應(yīng)精確到（）。
A.1N
B.5N
C.10N
D.15N
4.單項(xiàng)選擇題原位單剪法測(cè)量被測(cè)灰縫的受剪面尺寸，應(yīng)精確到（）。
A.0.2mm
B.0.25mm
C.0.5mm
D.1mm
5.單項(xiàng)選擇題原位單剪法在選定的墻體上，現(xiàn)澆鋼筋混凝土傳力件的混凝土強(qiáng)度等級(jí)不應(yīng)低于（）。
A.C15
B.C20
C.C25
D.C30
最新試題
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí)，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
PN結(jié)的基本特性是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
鑄造多晶硅中的氧主要來(lái)源不包括（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
可用作硅片的研磨材料是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來(lái)的（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級(jí)位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題