單項選擇題原位單剪法測量被測灰縫的受剪面尺寸，應精確到（）。
A.0.2mm
B.0.25mm
C.0.5mm
D.1mm
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1.單項選擇題原位單剪法在選定的墻體上，現(xiàn)澆鋼筋混凝土傳力件的混凝土強度等級不應低于（）。
A.C15
B.C20
C.C25
D.C30
2.單項選擇題原位單剪法所用儀器設備，在檢測前應標定荷載傳感器及數(shù)字荷載表，其示值相對誤差不應大于（）。
A.1%
B.2%
C.3%
D.4%
3.單項選擇題原位單剪法測試部位宜選在窗洞口或其他洞口下（）磚范圍內(nèi).
A.2皮
B.3皮
C.4皮
D.5皮
4.單項選擇題切制抗壓試件用水泥砂漿找平后，試件上下表面的砂漿應在自然養(yǎng)護（）后，再進行抗壓測試。
A.3d
B.5d
C.8d
D.10d
5.單項選擇題切制抗壓試件運至試驗室后，試件上下表面修理平整，頂面應用（）找平。
A.1：1水泥砂漿
B.1：2水泥砂漿
C.1：3水泥砂漿
D.1：4水泥砂漿
最新試題
可用作硅片的研磨材料是（）
題型：單項選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
題型：單項選擇題
下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）
題型：單項選擇題
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構。
題型：單項選擇題
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
題型：單項選擇題
雜質(zhì)半導體中的載流子輸運過程的散射機構中，當溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）
題型：單項選擇題
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）
題型：單項選擇題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
題型：單項選擇題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）
題型：單項選擇題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
題型：單項選擇題