單項選擇題切制抗壓試件用水泥砂漿找平后，試件上下表面的砂漿應在自然養(yǎng)護（）后，再進行抗壓測試。
A.3d
B.5d
C.8d
D.10d
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1.單項選擇題切制抗壓試件運至試驗室后，試件上下表面修理平整，頂面應用（）找平。
A.1：1水泥砂漿
B.1：2水泥砂漿
C.1：3水泥砂漿
D.1：4水泥砂漿
2.單項選擇題切制抗壓試件法所選用的長柱壓力試驗機，其精度（示值的響度誤差）不應大于（）。
A.1%
B.2%
C.3%
D.4%
3.單項選擇題切制抗壓試件法的測試設備，切割墻體豎向通縫的切割機，以下哪個不符合要求（）。
A.切割機的鋸切深度不應小于240mm
B.機架應有足夠的強度、剛度、穩(wěn)定性
C.切割機的鋸切深度不應小于370mm
D.切割機宜配備水冷卻系統(tǒng)
4.單項選擇題當宏觀檢測墻體的砌筑質(zhì)量差或砌筑砂漿強度等級低于（）時，不宜選用切制抗壓試件法。
A.M2.5
B.M5.0
C.M7.5
D.M10
5.單項選擇題扁頂法測試砌體受壓彈性模量時，累計加荷的應力上限不應大于槽間砌體極限抗壓強度的（）。
A.30%
B.50%
C.60%
D.80%
最新試題
在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）
題型：單項選擇題
下列哪個不是單晶常用的晶向（）
題型：單項選擇題
載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流，漂移運動產(chǎn)生（）電流。
題型：單項選擇題
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；
題型：單項選擇題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）
題型：單項選擇題
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）
題型：單項選擇題
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導體具有（）半導體的導電特性。
題型：單項選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
題型：單項選擇題
一塊半導體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
題型：單項選擇題
如在半導體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
題型：單項選擇題