A.30%
B.50%
C.60%
D.80%
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A.每級荷載可取預(yù)估破壞荷載的10%
B.應(yīng)在1min~1.5mim內(nèi)均勻加完,然后恒載2min
C.加荷至預(yù)估破壞荷載的80%后,應(yīng)按原定加荷速度連續(xù)加荷,直至槽間砌體破壞
D.加荷至預(yù)估破壞荷載的90%后,應(yīng)按原定加荷速度連續(xù)加荷,直至槽間砌體破壞
A.4
B.5
C.6
D.7
A.5%
B.10%
C.15%
D.20%
A.5%
B.10%
C.15%
D.20%
A.2次
B.3次
C.4次
D.6次
最新試題
改良西門子法的顯著特點不包括()
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
硅片拋光在原理上不可分為()
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
PN結(jié)的基本特性是()
可用作硅片的研磨材料是()
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。