A.M2.5
B.M5.0
C.M7.5
D.M10
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A.30%
B.50%
C.60%
D.80%
A.每級荷載可取預(yù)估破壞荷載的10%
B.應(yīng)在1min~1.5mim內(nèi)均勻加完,然后恒載2min
C.加荷至預(yù)估破壞荷載的80%后,應(yīng)按原定加荷速度連續(xù)加荷,直至槽間砌體破壞
D.加荷至預(yù)估破壞荷載的90%后,應(yīng)按原定加荷速度連續(xù)加荷,直至槽間砌體破壞
A.4
B.5
C.6
D.7
A.5%
B.10%
C.15%
D.20%
A.5%
B.10%
C.15%
D.20%
最新試題
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()
下列是晶體的是()。
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時(shí),電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()。