單項(xiàng)選擇題原位單剪法所用儀器設(shè)備,在檢測(cè)前應(yīng)標(biāo)定荷載傳感器及數(shù)字荷載表,其示值相對(duì)誤差不應(yīng)大于()。
A.1%
B.2%
C.3%
D.4%
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1.單項(xiàng)選擇題原位單剪法測(cè)試部位宜選在窗洞口或其他洞口下()磚范圍內(nèi).
A.2皮
B.3皮
C.4皮
D.5皮
2.單項(xiàng)選擇題切制抗壓試件用水泥砂漿找平后,試件上下表面的砂漿應(yīng)在自然養(yǎng)護(hù)()后,再進(jìn)行抗壓測(cè)試。
A.3d
B.5d
C.8d
D.10d
3.單項(xiàng)選擇題切制抗壓試件運(yùn)至試驗(yàn)室后,試件上下表面修理平整,頂面應(yīng)用()找平。
A.1:1水泥砂漿
B.1:2水泥砂漿
C.1:3水泥砂漿
D.1:4水泥砂漿
4.單項(xiàng)選擇題切制抗壓試件法所選用的長(zhǎng)柱壓力試驗(yàn)機(jī),其精度(示值的響度誤差)不應(yīng)大于()。
A.1%
B.2%
C.3%
D.4%
5.單項(xiàng)選擇題切制抗壓試件法的測(cè)試設(shè)備,切割墻體豎向通縫的切割機(jī),以下哪個(gè)不符合要求()。
A.切割機(jī)的鋸切深度不應(yīng)小于240mm
B.機(jī)架應(yīng)有足夠的強(qiáng)度、剛度、穩(wěn)定性
C.切割機(jī)的鋸切深度不應(yīng)小于370mm
D.切割機(jī)宜配備水冷卻系統(tǒng)
最新試題
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過(guò)測(cè)量電學(xué)性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測(cè)器。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級(jí)位置在()附近,常見(jiàn)的是少子陷阱。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
題型:多項(xiàng)選擇題
PN結(jié)的基本特性是()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱(chēng)為()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過(guò)程有幾個(gè)主要階段?()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題