單項(xiàng)選擇題原位單剪法數(shù)據(jù)分析時(shí)，應(yīng)根據(jù)測(cè)試儀表的校驗(yàn)結(jié)果，進(jìn)行荷載換算，并應(yīng)精確到（）。
A.1N
B.5N
C.10N
D.15N
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1.單項(xiàng)選擇題原位單剪法測(cè)量被測(cè)灰縫的受剪面尺寸，應(yīng)精確到（）。
A.0.2mm
B.0.25mm
C.0.5mm
D.1mm
2.單項(xiàng)選擇題原位單剪法在選定的墻體上，現(xiàn)澆鋼筋混凝土傳力件的混凝土強(qiáng)度等級(jí)不應(yīng)低于（）。
A.C15
B.C20
C.C25
D.C30
3.單項(xiàng)選擇題原位單剪法所用儀器設(shè)備，在檢測(cè)前應(yīng)標(biāo)定荷載傳感器及數(shù)字荷載表，其示值相對(duì)誤差不應(yīng)大于（）。
A.1%
B.2%
C.3%
D.4%
4.單項(xiàng)選擇題原位單剪法測(cè)試部位宜選在窗洞口或其他洞口下（）磚范圍內(nèi).
A.2皮
B.3皮
C.4皮
D.5皮
5.單項(xiàng)選擇題切制抗壓試件用水泥砂漿找平后，試件上下表面的砂漿應(yīng)在自然養(yǎng)護(hù)（）后，再進(jìn)行抗壓測(cè)試。
A.3d
B.5d
C.8d
D.10d
最新試題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類(lèi)和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長(zhǎng)過(guò)程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過(guò)程有幾個(gè)主要階段？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生（）電流。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí)，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級(jí)位置在（）附近，常見(jiàn)的是少子陷阱。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題