單項(xiàng)選擇題原位壓力機(jī)的力值應(yīng)每()校驗(yàn)一次。
A.3個(gè)月
B.5個(gè)月
C.6個(gè)月
D.1年
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1.單項(xiàng)選擇題原位軸壓法測(cè)試部位在同一墻體上,測(cè)點(diǎn)多于一個(gè)時(shí),其水平凈距不得少于()。
A.1.0m
B.1.2
C.1.5m
D.2.0m
2.單項(xiàng)選擇題原位軸壓法測(cè)試部位宜選在墻體中部距樓、地面()左右的高度處,槽間砌體每側(cè)的墻體寬度不應(yīng)少于1.5m。
A.0.5m
B.1m
C.1.5m
D.1.8m
3.單項(xiàng)選擇題各類磚的取樣檢測(cè),每一檢測(cè)單元不應(yīng)少于();應(yīng)按相應(yīng)的產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn),進(jìn)行磚的抗壓強(qiáng)度試驗(yàn)和強(qiáng)度等級(jí)評(píng)定。
A.1組
B.3組
C.5組
D.6組
4.單項(xiàng)選擇題磚柱和寬度小于()的承重墻,不應(yīng)選用有較大局部破損的檢測(cè)方法。
A.2.4m
B.3.0m
C.3.4m
D.3.6m
5.單項(xiàng)選擇題砌體結(jié)構(gòu)所選用檢測(cè)方法和在墻體上選定測(cè)點(diǎn),()測(cè)點(diǎn)可以位于門窗洞口處。
A.燒結(jié)磚回彈法
B.原位軸壓法
C.原位單剪法
D.原位雙剪法
最新試題
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下列選項(xiàng)中,對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級(jí)位置在()附近,常見的是少子陷阱。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí),該表面態(tài)為();
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題