單項(xiàng)選擇題原位軸壓法測(cè)試部位宜選在墻體中部距樓、地面（）左右的高度處，槽間砌體每側(cè)的墻體寬度不應(yīng)少于1.5m。
A.0.5m
B.1m
C.1.5m
D.1.8m
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1.單項(xiàng)選擇題各類磚的取樣檢測(cè)，每一檢測(cè)單元不應(yīng)少于（）；應(yīng)按相應(yīng)的產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)，進(jìn)行磚的抗壓強(qiáng)度試驗(yàn)和強(qiáng)度等級(jí)評(píng)定。
A.1組
B.3組
C.5組
D.6組
2.單項(xiàng)選擇題磚柱和寬度小于（）的承重墻，不應(yīng)選用有較大局部破損的檢測(cè)方法。
A.2.4m
B.3.0m
C.3.4m
D.3.6m
3.單項(xiàng)選擇題砌體結(jié)構(gòu)所選用檢測(cè)方法和在墻體上選定測(cè)點(diǎn)，（）測(cè)點(diǎn)可以位于門窗洞口處。
A.燒結(jié)磚回彈法
B.原位軸壓法
C.原位單剪法
D.原位雙剪法
4.單項(xiàng)選擇題燒結(jié)磚回彈法檢測(cè)普通磚和燒結(jié)多孔磚強(qiáng)度適用范圍限于（）。
A.5~25MPa
B.6~30MPa
C.10~30MPa
D.15~30MPa
5.單項(xiàng)選擇題砂漿片局壓法檢測(cè)水泥石灰砂漿強(qiáng)度時(shí)砂漿強(qiáng)度范圍限于（）。
A.1-5MPa
B.1-10MPa
C.1-15MPa
D.1-20MPa
最新試題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下列選項(xiàng)中，對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí)，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
PN結(jié)的基本特性是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?，?huì)有氮取代部分的磷，這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
鑄造多晶硅中的氧主要來(lái)源不包括（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題