A.2.4m
B.3.0m
C.3.4m
D.3.6m
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A.燒結(jié)磚回彈法
B.原位軸壓法
C.原位單剪法
D.原位雙剪法
A.5~25MPa
B.6~30MPa
C.10~30MPa
D.15~30MPa
A.1-5MPa
B.1-10MPa
C.1-15MPa
D.1-20MPa
A.原位軸壓法以其直觀方便無需取樣運輸?shù)忍攸c,具有一定的優(yōu)越性,但采用手動加荷,加荷速度和加荷量不易控制,會造成砌體受力不均和偏心受力
B.周邊砌體對槽間砌體的橫向約束作用靠強度分項系數(shù)修正,誤差較大
C.壓力表讀數(shù)量程偏小,實測荷載值精度高
D.計算過程繁雜等,存在明顯不足,尚有待有志工程結(jié)構(gòu)檢測的專業(yè)人士進一步開發(fā)改進。
A.2MPa
B.2.5MPa
C.3MPa
D.4MPa
最新試題
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
把磷化鎵在氮氣氛中退火,會有氮取代部分的磷,這會在磷化鎵中出現(xiàn)()。
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流,漂移運動產(chǎn)生()電流。
一塊半導體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。