單項選擇題砂漿回彈法不適用于砂漿強度小于()的墻體,水平灰縫表面粗糙且難以磨平時,不得采用。
A.2MPa
B.2.5MPa
C.3MPa
D.4MPa
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1.單項選擇題推出法不宜用于當水平灰縫的砂漿飽滿度低于()的墻體。
A.55%
B.60%
C.65%
D.70%
2.單項選擇題切制抗壓試件法取樣部位每側(cè)的墻體寬度不應小于(),且應為墻體長度方向的中部或受力較小處。
A.1m
B.1.5m
C.1.8m
D.2m
3.單項選擇題扁頂法不適用于測試墻體破壞荷載大于()KN的墻體。
A.300
B.350
C.400
D.450
4.單項選擇題原位軸壓法僅限用于()厚的磚墻。
A.200mm
B.220mm
C.240mm
D.280mm
5.單項選擇題砌體工程的現(xiàn)場檢測方法,檢測砌體工作應力、彈性模量可采用()。
A.點荷法
B.回彈法
C.筒壓法
D.扁頂法
最新試題
光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強弱。光子效應所制成的紅外探測器。
題型:單項選擇題
一塊半導體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
題型:單項選擇題
如在半導體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
題型:單項選擇題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
題型:單項選擇題
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導體具有()半導體的導電特性。
題型:單項選擇題
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
題型:單項選擇題
雜質(zhì)半導體中的載流子輸運過程的散射機構中,當溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
題型:單項選擇題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
題型:單項選擇題
把磷化鎵在氮氣氛中退火,會有氮取代部分的磷,這會在磷化鎵中出現(xiàn)()。
題型:單項選擇題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
題型:多項選擇題