單項(xiàng)選擇題原位軸壓法僅限用于（）厚的磚墻。
A.200mm
B.220mm
C.240mm
D.280mm
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1.單項(xiàng)選擇題砌體工程的現(xiàn)場檢測方法，檢測砌體工作應(yīng)力、彈性模量可采用（）。
A.點(diǎn)荷法
B.回彈法
C.筒壓法
D.扁頂法
2.單項(xiàng)選擇題對既有建筑物或應(yīng)委托方要求僅對建筑物的部分或個(gè)別部位檢測時(shí)，一個(gè)檢測單元的測區(qū)數(shù)不宜少于（）個(gè)。
A.3個(gè)
B.4個(gè)
C.5個(gè)
D.6個(gè)
3.單項(xiàng)選擇題砂漿回彈法每一測區(qū)內(nèi)測點(diǎn)數(shù)不少于（）。
A.10
B.8
C.6
D.5
4.單項(xiàng)選擇題下列關(guān)于檢測單元、測區(qū)和測點(diǎn)的劃分錯(cuò)誤的是（）。
A.當(dāng)檢測對象為整棟建筑物時(shí)，可按樓層劃分檢測單元
B.當(dāng)檢測對象為整棟建筑物時(shí)，按整棟樓劃分
C.整棟建筑物每一個(gè)結(jié)構(gòu)單元，劃分為若干個(gè)檢測單元
D.每一個(gè)檢測單元內(nèi)，不宜少于6個(gè)測區(qū)
5.單項(xiàng)選擇題砌體結(jié)構(gòu)每一個(gè)檢測單元內(nèi)，不宜少于（）測區(qū)，應(yīng)將單個(gè)構(gòu)件（單片墻、柱）作為一個(gè)測區(qū)。
A.5
B.6
C.8
D.10
最新試題
下列選項(xiàng)中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生（）電流。
題型：單項(xiàng)選擇題
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶穑瑫?huì)有氮取代部分的磷，這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢的現(xiàn)象稱（）
題型：單項(xiàng)選擇題
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向（）
題型：單項(xiàng)選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
題型：單項(xiàng)選擇題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
題型：單項(xiàng)選擇題
PN結(jié)的基本特性是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）
題型：單項(xiàng)選擇題