單項(xiàng)選擇題扁頂法不適用于測試墻體破壞荷載大于（）KN的墻體。
A.300
B.350
C.400
D.450
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1.單項(xiàng)選擇題原位軸壓法僅限用于（）厚的磚墻。
A.200mm
B.220mm
C.240mm
D.280mm
2.單項(xiàng)選擇題砌體工程的現(xiàn)場檢測方法，檢測砌體工作應(yīng)力、彈性模量可采用（）。
A.點(diǎn)荷法
B.回彈法
C.筒壓法
D.扁頂法
3.單項(xiàng)選擇題對既有建筑物或應(yīng)委托方要求僅對建筑物的部分或個別部位檢測時，一個檢測單元的測區(qū)數(shù)不宜少于（）個。
A.3個
B.4個
C.5個
D.6個
4.單項(xiàng)選擇題砂漿回彈法每一測區(qū)內(nèi)測點(diǎn)數(shù)不少于（）。
A.10
B.8
C.6
D.5
5.單項(xiàng)選擇題下列關(guān)于檢測單元、測區(qū)和測點(diǎn)的劃分錯誤的是（）。
A.當(dāng)檢測對象為整棟建筑物時，可按樓層劃分檢測單元
B.當(dāng)檢測對象為整棟建筑物時，按整棟樓劃分
C.整棟建筑物每一個結(jié)構(gòu)單元，劃分為若干個檢測單元
D.每一個檢測單元內(nèi)，不宜少于6個測區(qū)
最新試題
與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）
題型：單項(xiàng)選擇題
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
題型：單項(xiàng)選擇題
表面態(tài)中性能級位于費(fèi)米能級以上時，該表面態(tài)為（）；
題型：單項(xiàng)選擇題
下列選項(xiàng)中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動產(chǎn)生（）電流。
題型：單項(xiàng)選擇題
可用作硅片的研磨材料是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）
題型：單項(xiàng)選擇題
對于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。
題型：單項(xiàng)選擇題