單項選擇題原位軸壓法測試部位在同一墻體上，測點多于一個時，其水平凈距不得少于（）。
A.1.0m
B.1.2
C.1.5m
D.2.0m
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1.單項選擇題原位軸壓法測試部位宜選在墻體中部距樓、地面（）左右的高度處，槽間砌體每側的墻體寬度不應少于1.5m。
A.0.5m
B.1m
C.1.5m
D.1.8m
2.單項選擇題各類磚的取樣檢測，每一檢測單元不應少于（）；應按相應的產品標準，進行磚的抗壓強度試驗和強度等級評定。
A.1組
B.3組
C.5組
D.6組
3.單項選擇題磚柱和寬度小于（）的承重墻，不應選用有較大局部破損的檢測方法。
A.2.4m
B.3.0m
C.3.4m
D.3.6m
4.單項選擇題砌體結構所選用檢測方法和在墻體上選定測點，（）測點可以位于門窗洞口處。
A.燒結磚回彈法
B.原位軸壓法
C.原位單剪法
D.原位雙剪法
5.單項選擇題燒結磚回彈法檢測普通磚和燒結多孔磚強度適用范圍限于（）。
A.5~25MPa
B.6~30MPa
C.10~30MPa
D.15~30MPa
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把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現（）。
題型：單項選擇題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
題型：單項選擇題
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）
題型：單項選擇題
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
題型：單項選擇題
載流子的擴散運動產生擴散電流，漂移運動產生（）電流。
題型：單項選擇題
最有效的復合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
題型：單項選擇題
一塊半導體壽命τ=15µs，光照在材料中會產生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
題型：單項選擇題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）
題型：單項選擇題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
題型：單項選擇題
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結會產生光生伏特效應。
題型：單項選擇題