單項選擇題高速鋼經最終熱處理后的組織應該是（）
A.M+K
B.M+A+K
C.M回+A+K
D.S回+A+K
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1.單項選擇題下列諸材料被稱為低變形鋼適合作冷作模具的是（）
A.9SiCr
B.CrWMn
C.Cr12MoV
D.5CrMnMo
2.單項選擇題下列諸材料中熱硬性最好的是（）
A.T12
B.9SiCr
C.W18Cr4V
D.YG3
3.單項選擇題下列諸材料中淬透性最好的是（）
A、20CrMnTi
B、40Cr
C、GCr15
D、Q235
4.單項選擇題過共析鋼因過熱而析出網狀滲碳體組織時，可用下列哪種工藝消除（）
A、完全退火
B、等溫退火
C、球化退火
D、正火
5.單項選擇題下列指標中，哪個是只決定了鋼的成份的性能（）
A、淬透性
B、淬硬性
C、淬透層深度
D、VK
最新試題
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
題型：單項選擇題
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）
題型：單項選擇題
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
題型：單項選擇題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）
題型：單項選擇題
如在半導體的禁帶中有一個深雜質能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
題型：單項選擇題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
題型：單項選擇題
影響單晶內雜質數量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質的種類和含量；②雜質的分凝效應；③雜質的蒸發(fā)效應；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內雜質的沾污；⑤加入雜質量；
題型：單項選擇題
在通常情況下，GaN呈（）型結構。
題型：單項選擇題
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結會產生光生伏特效應。
題型：單項選擇題
把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
題型：單項選擇題