單項選擇題下列諸材料中淬透性最好的是（）
A、20CrMnTi
B、40Cr
C、GCr15
D、Q235
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1.單項選擇題過共析鋼因過熱而析出網(wǎng)狀滲碳體組織時，可用下列哪種工藝消除（）
A、完全退火
B、等溫退火
C、球化退火
D、正火
2.單項選擇題下列指標中，哪個是只決定了鋼的成份的性能（）
A、淬透性
B、淬硬性
C、淬透層深度
D、VK
3.單項選擇題過共析鋼進行下列哪種熱處理可能會造成網(wǎng)狀滲碳體析出（）
A、完全退火
B、再結(jié)晶退火
C、正火
D、去應力退火
4.單項選擇題亞共晶白口鑄鐵的退火組織中，不可能有下列中的哪種組織（）
A、二次滲碳體
B、共析滲碳體
C、一次滲碳體
D、共晶滲碳體
5.單項選擇題下列諸因素中，哪個是造成45鋼淬火硬度偏低的主要原因（）
A、加強溫度低于Ac3
B、加熱溫度高于AC3
C、保溫時間過長
D、冷卻速度大于VK
最新試題
下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）
題型：單項選擇題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
題型：單項選擇題
在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）
題型：單項選擇題
如在半導體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
題型：單項選擇題
一塊半導體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
題型：單項選擇題
載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流，漂移運動產(chǎn)生（）電流。
題型：單項選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
題型：單項選擇題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）
題型：單項選擇題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
題型：單項選擇題
雜質(zhì)半導體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中，當溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）
題型：單項選擇題