單項(xiàng)選擇題亞共晶白口鑄鐵的退火組織中,不可能有下列中的哪種組織()

A、二次滲碳體
B、共析滲碳體
C、一次滲碳體
D、共晶滲碳體


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1.單項(xiàng)選擇題下列諸因素中,哪個(gè)是造成45鋼淬火硬度偏低的主要原因()

A、加強(qiáng)溫度低于Ac3
B、加熱溫度高于AC3
C、保溫時(shí)間過長(zhǎng)
D、冷卻速度大于VK

2.單項(xiàng)選擇題對(duì)片狀馬氏體而言,下列說法哪個(gè)是錯(cuò)誤的()

A、是位錯(cuò)馬氏體
B、是孿晶馬氏體
C、是過飽和的a固溶體
D、具有高的強(qiáng)度

3.單項(xiàng)選擇題鋼的下列組織中熱穩(wěn)定性最差的是()

A、珠光體
B、馬氏體
C、回火屈氏體
D、回火索氏體

4.單項(xiàng)選擇題鋼件出現(xiàn)下述哪種缺陷時(shí),難以用熱處理來消除()

A、晶內(nèi)偏析
B、纖維組織
C、晶粒粗大
D、網(wǎng)狀滲碳體

5.單項(xiàng)選擇題碳鋼的下列各組織中,哪個(gè)是復(fù)相組織()

A、珠光體
B、鐵素體
C、滲碳體
D、馬氏體

最新試題

一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測(cè)量電學(xué)性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測(cè)器。  

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生()電流。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

下列是晶體的是()。 

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長(zhǎng)過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題