一塊半導體壽命τ=15µs，光照在材料中會產生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。

懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）

表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；

把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。

PN結的基本特性是（）

屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

對于同時存在一種施主雜質和一種受主雜質的均勻摻雜的非簡并半導體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導體具有（）半導體的導電特性。

影響單晶內雜質數量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質的種類和含量；②雜質的分凝效應；③雜質的蒸發(fā)效應；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內雜質的沾污；⑤加入雜質量；

直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）

改良西門子法的顯著特點不包括（）