A、使用位移控制方式
B、雙向張拉
C、超張拉回松技術(shù)
D、內(nèi)固定端使用回縮量小的錨具
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A、使預(yù)應(yīng)力筋與結(jié)構(gòu)混凝土結(jié)為一體
B、提高構(gòu)件的剛度
C、限定預(yù)應(yīng)力筋的位置
D、防止預(yù)應(yīng)力筋的腐蝕
A、錨具變形
B、夾片位移
C、混凝土收縮
D、預(yù)應(yīng)力筋回縮
A、達到95%預(yù)應(yīng)力筋抗拉強度后，中心殘余撓度小于墊板尺寸的1/600
B、達到90%預(yù)應(yīng)力筋抗拉強度后，中心殘余撓度小于墊板尺寸的1/500
C、達到120%預(yù)應(yīng)力筋抗拉強度后，不得出現(xiàn)裂紋或破壞
D、達到110%預(yù)應(yīng)力筋抗拉強度后，不得出現(xiàn)裂紋或破壞
A、鐓頭式
B、夾片式
C、壓花式
D、螺母式
A、有防止腐蝕和機械損傷的措施
B、凸出式錨具的保護層厚度不小于50mm
C、外露預(yù)應(yīng)力筋的保護層厚度在正常環(huán)境中不小于20mm
D、外露預(yù)應(yīng)力筋的保護層厚度在腐蝕環(huán)境中不小于30mm
最新試題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
下列是晶體的是（）。
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；