A、鐓頭式
B、夾片式
C、壓花式
D、螺母式
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A、有防止腐蝕和機(jī)械損傷的措施
B、凸出式錨具的保護(hù)層厚度不小于50mm
C、外露預(yù)應(yīng)力筋的保護(hù)層厚度在正常環(huán)境中不小于20mm
D、外露預(yù)應(yīng)力筋的保護(hù)層厚度在腐蝕環(huán)境中不小于30mm
A、可以用焊割方式截?cái)?br />
B、需要有防腐蝕措施
C、長(zhǎng)度不宜小于預(yù)應(yīng)力筋直徑的5倍
D、不宜小于30mm
A、HRA
B、HRB
C、HBW
D、RBH
A、不同的錨具一般需不同類型的千斤頂
B、有些錨具可以不用千斤頂
C、靜載實(shí)驗(yàn)?zāi)芡耆从冲^具性能
D、錨具外露端應(yīng)有防護(hù)措施
A、實(shí)驗(yàn)應(yīng)在1小時(shí)內(nèi)做完
B、試驗(yàn)段長(zhǎng)度應(yīng)為2米
C、實(shí)驗(yàn)前應(yīng)做硬度試驗(yàn)
D、最終的總應(yīng)變?cè)叫≡胶?/p>
最新試題
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生()電流。
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量()
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級(jí)位置在()附近,常見的是少子陷阱。
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí),該表面態(tài)為();
鑄造多晶硅中的氧主要來(lái)源不包括()
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()