A、有防止腐蝕和機械損傷的措施
B、凸出式錨具的保護層厚度不小于50mm
C、外露預(yù)應(yīng)力筋的保護層厚度在正常環(huán)境中不小于20mm
D、外露預(yù)應(yīng)力筋的保護層厚度在腐蝕環(huán)境中不小于30mm
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A、可以用焊割方式截斷
B、需要有防腐蝕措施
C、長度不宜小于預(yù)應(yīng)力筋直徑的5倍
D、不宜小于30mm
A、HRA
B、HRB
C、HBW
D、RBH
A、不同的錨具一般需不同類型的千斤頂
B、有些錨具可以不用千斤頂
C、靜載實驗?zāi)芡耆从冲^具性能
D、錨具外露端應(yīng)有防護措施
A、實驗應(yīng)在1小時內(nèi)做完
B、試驗段長度應(yīng)為2米
C、實驗前應(yīng)做硬度試驗
D、最終的總應(yīng)變越小越好
A、錨頭端預(yù)應(yīng)力筋斷裂
B、滑絲
C、內(nèi)縮值偏大
D、夾片斷裂
最新試題
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
對于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù),它與()。
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
與半導體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量()
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導體具有()半導體的導電特性。
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()