A、使預(yù)應(yīng)力筋與結(jié)構(gòu)混凝土結(jié)為一體
B、提高構(gòu)件的剛度
C、限定預(yù)應(yīng)力筋的位置
D、防止預(yù)應(yīng)力筋的腐蝕
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A、錨具變形
B、夾片位移
C、混凝土收縮
D、預(yù)應(yīng)力筋回縮
A、達(dá)到95%預(yù)應(yīng)力筋抗拉強(qiáng)度后,中心殘余撓度小于墊板尺寸的1/600
B、達(dá)到90%預(yù)應(yīng)力筋抗拉強(qiáng)度后,中心殘余撓度小于墊板尺寸的1/500
C、達(dá)到120%預(yù)應(yīng)力筋抗拉強(qiáng)度后,不得出現(xiàn)裂紋或破壞
D、達(dá)到110%預(yù)應(yīng)力筋抗拉強(qiáng)度后,不得出現(xiàn)裂紋或破壞
A、鐓頭式
B、夾片式
C、壓花式
D、螺母式
A、有防止腐蝕和機(jī)械損傷的措施
B、凸出式錨具的保護(hù)層厚度不小于50mm
C、外露預(yù)應(yīng)力筋的保護(hù)層厚度在正常環(huán)境中不小于20mm
D、外露預(yù)應(yīng)力筋的保護(hù)層厚度在腐蝕環(huán)境中不小于30mm
A、可以用焊割方式截?cái)?br />
B、需要有防腐蝕措施
C、長(zhǎng)度不宜小于預(yù)應(yīng)力筋直徑的5倍
D、不宜小于30mm
最新試題
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()。
直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過(guò)程有幾個(gè)主要階段?()
下列是晶體的是()。
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱(chēng)為()。
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過(guò)測(cè)量電學(xué)性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測(cè)器。
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
在光線(xiàn)作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱(chēng)()
下列選項(xiàng)中,對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是()
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
硅片拋光在原理上不可分為()