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單項(xiàng)選擇題
半導(dǎo)體器件生產(chǎn)中所制備的二氧化硅薄膜屬于()。
A.結(jié)晶形二氧化硅
B.無定形二氧化硅
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名詞解釋
再分布
答案:
將由預(yù)淀積引入的雜質(zhì)作為擴(kuò)散源,在較高溫度下進(jìn)行擴(kuò)散。擴(kuò)散的同時也往往進(jìn)行氧化。再分布的目的是為了控制表面濃度和擴(kuò)散深度...
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名詞解釋
平均投影射程RP
答案:
平均投影射程就是射程的平均值,也就是離子注入深度的平均值
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名詞解釋
非橋鍵氧
答案:
在SiO
2
中只與一個Si原子連接的氧
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名詞解釋
阱
答案:
在襯底上形成的、摻雜類型與襯底相反的區(qū)域
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名詞解釋
互連
答案:
將同一芯片內(nèi)的各個獨(dú)立的元器件連接成為具有一定功能的電路模塊
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填空題
曝光后顯影時感光的膠層溶解了,沒有感光的膠層不溶解留下了,這種膠稱為()膠。
答案:
正
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填空題
干法刻蝕適用于() (粗/細(xì))線條。
答案:
細(xì)
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判斷題
擴(kuò)散只用于淺結(jié)的制備
答案:
錯誤
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判斷題
在LPCVD中,由于hG>>kS,即質(zhì)量轉(zhuǎn)移系數(shù)遠(yuǎn)大于表面反應(yīng)速率常數(shù),所以,LPCVD系統(tǒng)中,淀積過程主要是質(zhì)量轉(zhuǎn)移控制
答案:
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單項(xiàng)選擇題
離子注入與熱擴(kuò)散相比,哪個橫向效應(yīng)小()
A. 離子注入
B. 熱擴(kuò)散
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