多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

常壓的硅外延方法有（）。

目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）

新的平坦化方法有哪幾個？（）

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

如下哪個選項不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）

下面哪個選項不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標？（）

光刻工藝對準誤差包括（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。