填空題熱氧化制備SiO2的方法可分為四種,包括()、()、()、()。
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利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個(gè)MOS管,已知Cox=5×10-4pF/μm2,估算柵極電容。
題型:?jiǎn)柎痤}
什么是無(wú)源電阻?什么是有源電阻?舉例說(shuō)明。
題型:?jiǎn)柎痤}
硅半導(dǎo)體工藝中的絕緣材料主要來(lái)源于硅自身產(chǎn)生的()材料等。
題型:多項(xiàng)選擇題
圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個(gè)NMOS管,M1的W/L=12μm/6μm,M2的W/L=4μm/2μm,其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線,請(qǐng)畫出Id2的大致變化,并說(shuō)明Id1和Id2有什么不同,并解釋不同的主要原因。
題型:?jiǎn)柎痤}
目前集成電路版圖設(shè)計(jì)的主流工具有哪些?
題型:?jiǎn)柎痤}
集成電容主要有幾種結(jié)構(gòu)?
題型:?jiǎn)柎痤}
把半導(dǎo)體級(jí)硅的多晶硅塊,轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅的過(guò)程,稱作()。生長(zhǎng)后的單晶硅被稱為()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
在晶體材料中,對(duì)于長(zhǎng)程有序的原子模式最基本的實(shí)體就是()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
什么是MOS器件的體效應(yīng)?
題型:?jiǎn)柎痤}
比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路,試分析兩者存在差異的原因。
題型:?jiǎn)柎痤}