晶體管的名字取自于（）和（）兩詞。

目前集成電路版圖設計的主流工具有哪些？

MOS器件存在哪些二階效應？

把半導體級硅的多晶硅塊，轉換成一塊大的單晶硅的過程，稱作（）。生長后的單晶硅被稱為（）。

說明MOS器件噪聲的來源、成因及減小方法。

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構成一個MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

設計一個CMOS差分放大器電路，寫出其對應的SPICE描述語句并作差模電流-電壓特性分析。

集成電容主要有幾種結構？

從天然硅中獲得達到生產半導體器件所需純度的SGS要經過（）等步驟。

在晶體材料中，對于長程有序的原子模式最基本的實體就是（）。