試用電導率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設計1kΩ的電阻，設電阻寬1μm，求其長。

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。

目前集成電路版圖設計的主流工具有哪些？

由于襯底材料的緣故會自動產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。

從設計的觀點出發(fā)，版圖設計規(guī)則應包括哪些部分？

從天然硅中獲得達到生產(chǎn)半導體器件所需純度的SGS要經(jīng)過（）等步驟。

MOS場效應管（MOSFET）在20世紀70年代得到了廣泛的接受，從那時起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。

由硅片生產(chǎn)的半導體產(chǎn)品，又被稱為（）。

半導體工藝技術中，器件互連材料通常包括（）等。

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構成一個MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。