填空題常規(guī)的硅材料拋光方式有：（）拋光，（）拋光，（）拋光等。
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在晶體材料中，對(duì)于長(zhǎng)程有序的原子模式最基本的實(shí)體就是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設(shè)計(jì)上采取哪些措施？
題型：?jiǎn)柎痤}
在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。
題型：?jiǎn)柎痤}
圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個(gè)NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請(qǐng)畫(huà)出Id2的大致變化，并說(shuō)明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。
題型：?jiǎn)柎痤}
半導(dǎo)體工藝技術(shù)中，器件互連材料通常包括（）等。
題型：多項(xiàng)選擇題
集成電容主要有幾種結(jié)構(gòu)？
題型：?jiǎn)柎痤}
編寫(xiě)DRC版圖驗(yàn)證文件的主要依據(jù)是什么？
題型：?jiǎn)柎痤}
版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？
題型：?jiǎn)柎痤}
設(shè)計(jì)一個(gè)CMOS差分放大器電路，寫(xiě)出其對(duì)應(yīng)的SPICE描述語(yǔ)句并作差模電流-電壓特性分析。
題型：?jiǎn)柎痤}
規(guī)定版圖幾何設(shè)計(jì)規(guī)則的意義是什么？
題型：?jiǎn)柎痤}