影響封裝芯片特性的溫度有（）。

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。

進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

常壓的硅外延方法有（）。

摻雜后退火時(shí)間一般在（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無關(guān)？（）