問答題

假設(shè)某項化學(xué)氣相淀積工藝受反應(yīng)速率控制，在700 ℃和800 ℃時的淀積速率分別為500Å/min和2000Å/min，請計算在900℃下的淀積速率是多少？實際測量發(fā)現(xiàn)900℃下淀積速率遠(yuǎn)低于計算值，說明什么？怎樣證明？（化學(xué)氣相淀積的反應(yīng)速率常數(shù)）


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4.多項選擇題對于CMOS晶體管，要得到良好受控的閾值電壓，需要控制（）等工藝參數(shù)。

A.氧化層厚度；
B.溝道中摻雜濃度；
C.金屬半導(dǎo)體功函數(shù)；
D.氧化層電荷。