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多項(xiàng)選擇題對(duì)于CMOS晶體管，要得到良好受控的閾值電壓，需要控制（）等工藝參數(shù)。

A.氧化層厚度；
B.溝道中摻雜濃度；
C.金屬半導(dǎo)體功函數(shù)；
D.氧化層電荷。

1.單項(xiàng)選擇題離子注入過(guò)程是一個(gè)非平衡過(guò)程，高能離子進(jìn)入靶后不斷與原子核及其核外電子碰撞，逐步損失能量，最后停下來(lái)。停下來(lái)的位置是隨機(jī)的，大部分不在晶格上，因而沒(méi)有（）。

A. 電活性
B. 晶格損傷
C. 橫向效應(yīng)
D. 溝道效應(yīng)

2.單項(xiàng)選擇題雜質(zhì)在硅晶體中的擴(kuò)散機(jī)制主要有兩種，分別是間隙式擴(kuò)散機(jī)制和替代式擴(kuò)散機(jī)制。雜質(zhì)只有在成為硅晶格結(jié)構(gòu)的一部分，即（），才有助于形成半導(dǎo)體硅。

A. 激活雜質(zhì)后
B. 一種物質(zhì)在另一種物質(zhì)中的運(yùn)動(dòng)
C. 預(yù)淀積
D. 高溫多步退火

3.單項(xiàng)選擇題刻蝕是用化學(xué)方法或物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要材料的工藝過(guò)程，其基本目標(biāo)是（）。

A. 有選擇地形成被刻蝕圖形的側(cè)壁形狀
B. 在涂膠的硅片上正確地復(fù)制掩膜圖形
C. 變成刻蝕介質(zhì)以形成一個(gè)凹槽
D. 在大于3微米的情況下，混合發(fā)生化學(xué)作用與物理作用

4.單項(xiàng)選擇題浸入式光刻技術(shù)可以使193nm光刻工藝的最小線寬減小到45nm以下。它通過(guò)采用折射率高的液體代替透鏡組件間的空氣，達(dá)到（）的目的。

A.增大光源波長(zhǎng)；
B.減小光源波長(zhǎng)；
C.減小光學(xué)系統(tǒng)數(shù)值孔徑；
D.增大光學(xué)系統(tǒng)數(shù)值孔徑。

5.單項(xiàng)選擇題如果淀積的膜在臺(tái)階上過(guò)度地變薄，就容易導(dǎo)致高的膜應(yīng)力、電短路或者在器件中產(chǎn)生不希望的（）。

A. 誘生電荷
B. 鳥(niǎo)嘴效應(yīng)
C. 陷阱電荷
D. 可移動(dòng)電荷