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單項選擇題

離子注入過程是一個非平衡過程，高能離子進入靶后不斷與原子核及其核外電子碰撞，逐步損失能量，最后停下來。停下來的位置是隨機的，大部分不在晶格上，因而沒有（）。

A. 電活性
B. 晶格損傷
C. 橫向效應
D. 溝道效應

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單項選擇題

雜質(zhì)在硅晶體中的擴散機制主要有兩種，分別是間隙式擴散機制和替代式擴散機制。雜質(zhì)只有在成為硅晶格結構的一部分，即（），才有助于形成半導體硅。

A. 激活雜質(zhì)后
B. 一種物質(zhì)在另一種物質(zhì)中的運動
C. 預淀積
D. 高溫多步退火

單項選擇題

刻蝕是用化學方法或物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要材料的工藝過程，其基本目標是（）。

A. 有選擇地形成被刻蝕圖形的側壁形狀
B. 在涂膠的硅片上正確地復制掩膜圖形
C. 變成刻蝕介質(zhì)以形成一個凹槽
D. 在大于3微米的情況下，混合發(fā)生化學作用與物理作用

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