單項(xiàng)選擇題

雜質(zhì)在硅晶體中的擴(kuò)散機(jī)制主要有兩種，分別是間隙式擴(kuò)散機(jī)制和替代式擴(kuò)散機(jī)制。雜質(zhì)只有在成為硅晶格結(jié)構(gòu)的一部分，即（），才有助于形成半導(dǎo)體硅。

A. 激活雜質(zhì)后
B. 一種物質(zhì)在另一種物質(zhì)中的運(yùn)動
C. 預(yù)淀積
D. 高溫多步退火

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