問答題
如圖為鋁金屬化與銅金屬化工藝的比較。識別并描述每個工藝步驟。
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
2.多項選擇題對于CMOS晶體管，要得到良好受控的閾值電壓，需要控制（）等工藝參數(shù)。
A.氧化層厚度；
B.溝道中摻雜濃度；
C.金屬半導體功函數(shù)；
D.氧化層電荷。
3.單項選擇題離子注入過程是一個非平衡過程，高能離子進入靶后不斷與原子核及其核外電子碰撞，逐步損失能量，最后停下來。停下來的位置是隨機的，大部分不在晶格上，因而沒有（）。
A. 電活性
B. 晶格損傷
C. 橫向效應
D. 溝道效應
4.單項選擇題雜質在硅晶體中的擴散機制主要有兩種，分別是間隙式擴散機制和替代式擴散機制。雜質只有在成為硅晶格結構的一部分，即（），才有助于形成半導體硅。
A. 激活雜質后
B. 一種物質在另一種物質中的運動
C. 預淀積
D. 高溫多步退火
5.單項選擇題刻蝕是用化學方法或物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要材料的工藝過程，其基本目標是（）。
A. 有選擇地形成被刻蝕圖形的側壁形狀
B. 在涂膠的硅片上正確地復制掩膜圖形
C. 變成刻蝕介質以形成一個凹槽
D. 在大于3微米的情況下，混合發(fā)生化學作用與物理作用