IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個(gè)？（）

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

摻雜后退火時(shí)間一般在（）。

互連工藝中AL的制備可選用（）。

注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無關(guān)？（）

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。